সালফার হেক্সাফ্লুরাইড চমৎকার অন্তরক বৈশিষ্ট্যসম্পন্ন একটি গ্যাস এবং এটি প্রায়শই উচ্চ-ভোল্টেজ আর্ক নির্বাপণ এবং ট্রান্সফরমার, উচ্চ-ভোল্টেজ সঞ্চালন লাইন ইত্যাদিতে ব্যবহৃত হয়। তবে, এই কাজগুলো ছাড়াও, সালফার হেক্সাফ্লুরাইড একটি ইলেকট্রনিক এচ্যান্ট হিসেবেও ব্যবহার করা যেতে পারে। ইলেকট্রনিক গ্রেডের উচ্চ-বিশুদ্ধ সালফার হেক্সাফ্লুরাইড একটি আদর্শ ইলেকট্রনিক এচ্যান্ট, যা মাইক্রোইলেকট্রনিক্স প্রযুক্তির ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। আজ, নিউ রুইডের বিশেষ গ্যাস সম্পাদক ইউইউ সিলিকন নাইট্রাইড এচিং-এ সালফার হেক্সাফ্লুরাইডের প্রয়োগ এবং বিভিন্ন প্যারামিটারের প্রভাব সম্পর্কে আলোচনা করবেন।
আমরা SF6 প্লাজমা দ্বারা SiNx এচিং প্রক্রিয়া নিয়ে আলোচনা করি, যার মধ্যে রয়েছে প্লাজমা পাওয়ার পরিবর্তন, SF6/He গ্যাসের অনুপাত পরিবর্তন এবং ক্যাটায়নিক গ্যাস O2 যোগ করা। আমরা TFT-এর SiNx এলিমেন্ট প্রোটেকশন লেয়ারের এচিং হারের উপর এর প্রভাব নিয়ে আলোচনা করি এবং প্লাজমা রেডিয়েশন স্পেকট্রোমিটার ব্যবহার করে SF6/He, SF6/He/O2 প্লাজমাতে প্রতিটি স্পিসিসের ঘনত্বের পরিবর্তন ও SF6-এর বিয়োজন হার বিশ্লেষণ করি এবং SiNx এচিং হারের পরিবর্তন ও প্লাজমা স্পিসিসের ঘনত্বের মধ্যে সম্পর্ক অন্বেষণ করি।
গবেষণায় দেখা গেছে যে প্লাজমা শক্তি বাড়ানো হলে এচিং হার বৃদ্ধি পায়; যদি প্লাজমায় SF6-এর প্রবাহ হার বাড়ানো হয়, তবে F পরমাণুর ঘনত্ব বৃদ্ধি পায় এবং এটি এচিং হারের সাথে ধনাত্মকভাবে সম্পর্কিত। এছাড়াও, স্থির মোট প্রবাহ হারে ক্যাটায়নিক গ্যাস O2 যোগ করার পর, এটি এচিং হার বাড়ানোর প্রভাব ফেলে, কিন্তু বিভিন্ন O2/SF6 প্রবাহ অনুপাতের অধীনে বিভিন্ন প্রতিক্রিয়া প্রক্রিয়া দেখা যায়, যেগুলোকে তিনটি ভাগে ভাগ করা যায়: (1) যখন O2/SF6 প্রবাহ অনুপাত খুব কম থাকে, তখন O2, SF6-এর বিয়োজনে সাহায্য করতে পারে এবং এই সময়ে এচিং হার O2 যোগ না করার সময়ের চেয়ে বেশি হয়। (2) যখন O2/SF6 প্রবাহ অনুপাত 0.2 থেকে 1-এর কাছাকাছি হয়, তখন SF6-এর প্রচুর পরিমাণে বিয়োজনের মাধ্যমে F পরমাণু তৈরি হওয়ার কারণে এচিং হার সর্বোচ্চ হয়; কিন্তু একই সময়ে, প্লাজমাতে O পরমাণুর সংখ্যাও বৃদ্ধি পায় এবং SiNx ফিল্মের পৃষ্ঠের সাথে SiOx বা SiNxO(yx) গঠন করা সহজ হয়, এবং O পরমাণুর সংখ্যা যত বৃদ্ধি পায়, F পরমাণুর জন্য এচিং বিক্রিয়া তত কঠিন হয়ে পড়ে। অতএব, যখন O2/SF6 অনুপাত 1 এর কাছাকাছি হয় তখন এচিং হার কমতে শুরু করে। (3) যখন O2/SF6 অনুপাত 1 এর চেয়ে বেশি হয়, তখন এচিং হার কমে যায়। O2 এর ব্যাপক বৃদ্ধির কারণে, বিয়োজিত F পরমাণু O2 এর সাথে সংঘর্ষ করে এবং OF গঠন করে, যা F পরমাণুর ঘনত্ব কমিয়ে দেয়, ফলে এচিং হার কমে যায়। এখান থেকে দেখা যায় যে যখন O2 যোগ করা হয়, তখন O2/SF6 এর প্রবাহ অনুপাত 0.2 এবং 0.8 এর মধ্যে থাকলে সর্বোত্তম এচিং হার পাওয়া যায়।
পোস্ট করার সময়: ০৬-১২-২০২১
